半导体器件

摘要：

本发明涉及一种半导体器件，包括：延迟锁定环，所述延迟锁定环包括复制延迟单元，所述复制延迟单元被配置为通过反映信号的输出路径的延迟量来对信号进行延迟；以及延迟时间补偿器，所述延迟时间补偿器被配置为通过将复制延迟单元的输出信号与输出路径的输出信号进行比较来补偿复制延迟单元与输出路径之间的延迟时间之差。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010508402.4

申请日期：2010-10-15

公开/公告号：CN102263552A

公开/公告日：2011-11-30

主分类号：H03L7/06(2006.01)I

申请/专利权人:海力士半导体有限公司

发明/设计人:李康悦

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人:郭放%黄启行

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

一种半导体器件，包括：延迟锁定环，所述延迟锁定环包括复制延迟单元，所述复制延迟单元被配置为通过反映信号的输出路径的延迟量来对信号进行延迟；以及延迟时间补偿器，所述延迟时间补偿器被配置为通过将所述复制延迟单元的输出信号与所述输出路径的输出信号进行比较来补偿所述复制延迟单元与所述输出路径之间的延迟时间之差。