基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法

摘要：

本发明公开了一种基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法，该振荡器包括：SOI衬底以及制作在SOI衬底上的CMOS器件；所述CMOS器件包括：NMOS器件和PMOS器件；所述NMOS器件的沟道采用(100)晶面硅材料，所述PMOS器件的沟道采用(110)晶面硅材料。该器件可以通过在混合晶向的SOI衬底上开设窗口外延底层硅，从而在(100)晶面的顶层硅和(110)外延硅层上分别制作NMOS器件和PMOS器件。本发明可以减少CMOS环形振荡器中CMOS晶体管宽度，增大集成密度，降低非门传输延迟时间，增大振荡频率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010507239.X

申请日期：2010-10-14

公开/公告号：CN102098028A

公开/公告日：2011-06-15

主分类号：H03K3/02(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所%上海新傲科技股份有限公司

发明/设计人:黄晓橹;伍青青;魏星;陈静;张苗;王曦

主申请人地址:200050 上海市长宁区长宁路865号

专利代理机构:上海光华专利事务所 31219

代理人:李仪萍

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器，包括：SOI衬底以及制作在SOI衬底上的CMOS器件，其特征在于：所述CMOS器件包括：NMOS器件和PMOS器件；所述NMOS器件的沟道采用(100)晶面硅，所述PMOS器件的沟道采用(110)晶面硅。