半导体装置和检测半导体装置的特性退化的方法

摘要：

本发明涉及半导体装置和检测半导体装置的特性退化的方法。半导体装置(IPD)包括：设定值存储单元，该设定值存储单元存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；和检测器，该检测器基于规定时刻的半导体装置的特性值和存储在设定值存储单元中的设定值来检测半导体装置的特性退化。此外，检测半导体装置(IPD)的特性退化的方法包括：存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；并且基于规定时刻的半导体装置的特性值和存储的设定值来检测半导体装置的特性退化。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010295658.1

申请日期：2010-09-21

公开/公告号：CN102035529A

公开/公告日：2011-04-27

主分类号：H03K19/007(2006.01)I

申请/专利权人:瑞萨电子株式会社

发明/设计人:深海郁夫

主申请人地址:日本神奈川县

专利代理机构:中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人:孙志湧%穆德骏

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种半导体装置，包括：设定值存储单元，所述设定值存储单元存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；和检测器，所述检测器基于规定时刻的所述半导体装置的特性值和存储在所述设定值存储单元中的设定值来检测所述半导体装置的特性退化。