半导体器件
本发明提供一种半导体器件。本发明的一实施例的半导体器件具备第1晶体管与第2晶体管，且发挥作为反向器的功能。第1晶体管由岛状半导体层114、包围岛状半导体层周围的第1栅极绝缘膜125、包围栅极绝缘膜周围的栅极电极126、形成于岛状半导体层的上部及下方部分的p+型半导体层所构成。第2晶体管由栅极电极126、包围栅极电极周围的一部分的第2栅极绝缘膜125、与栅极绝缘膜周围的一部分相邻接的弧状半导体层113、形成于弧状半导体层的上部及下方部分的n+型半导体层所构成。第1接触部将第1晶体管的p+型半导体层及第2晶体管的n+型半导体层予以电性连接。
发明专利
CN201010288977.X
2010-09-16
CN102035533A
2011-04-27
H03K19/0175(2006.01)I
日本优尼山帝斯电子株式会社
舛冈富士雄;中村广记
日本东京都
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
郑小军%冯志云
日本;JP
一种半导体器件，其特征在于，具备第1晶体管与第2晶体管，且通过所述第1及第2晶体管发挥作为反向器的功能；所述第1晶体管包括以下构成：岛状半导体层；第1栅极绝缘膜，用以包围所述岛状半导体层周围；栅极电极，用以包围所述第1栅极绝缘膜周围；第1导电型上部高浓度半导体层，形成于所述岛状半导体层的上方部分；及第1导电型下部高浓度半导体层，形成于所述岛状半导体层的下方部分；所述第2晶体管包括以下构成：所述栅极电极；第2栅极绝缘膜，用以包围所述栅极电极周围的至少一部分；半导体层，与所述第2栅极绝缘膜周围的至少一部分相邻接；第2导电型上部高浓度半导体层，形成于所述半导体层的上方部分，具有与所述第1导电型上部高浓度半导体层相反的导电型；及第2导电型下部高浓度半导体层，形成于所述半导体层的下方部分，具有与所述第1导电型下部高浓度半导体层相反的导电型；还具备第1接触部，用以将所述第1晶体管中的所述第1导电型上部高浓度半导体层、与所述第2晶体管中的所述第2导电型上部高浓度半导体层予以彼此电性连接。