半导体集成电路

摘要：

本发明提供了一种通信半导体集成电路(RF?IC)，其中，将用来对接收信号进行降频的混频电路的输出侧上的滤波器中包含的电容元件的电容减小，而不要求改变滤波器的截止频率，从而使得容易在芯片上制作元件并减少了所需外部元件的数目。吉尔伯特单元电路被用作混频电路，为了降频，此混频电路对接收信号和局部振荡信号进行合成。用来从输出中清除不希望有的电波的低通滤波器由上级差分晶体管的负载电阻器和提供在各差分输出端子之间的电容元件构成。负载电阻器的电阻被增大，并提供了用来将电流施加到上级差分晶体管的发射极或集电极的电流电路，使得可将能补偿因负载电阻增大而引起的电流量减小的电流从电流电路被施加到下级差分晶体管。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010284427.0

申请日期：2006-03-29

公开/公告号：CN101951225A

公开/公告日：2011-01-19

主分类号：H03D7/14(2006.01)I

申请/专利权人:瑞萨电子株式会社

发明/设计人:吉崎保展;和久田哲也

主申请人地址:日本神奈川

专利代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人:王永刚

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种用于无线通信系统的半导体集成电路，包括：半导体衬底；置于所述半导体衬底之上的低噪声放大器(210)，该低噪声放大器经由天线接收RF信号并放大该RF信号；置于所述半导体衬底之上的混频电路(212)，该混频电路对来自所述低噪声放大器的输出RF信号进行降频转换；以及低通滤波器，它包括电阻(Rc1/Rc2)和电容(C1)，并被耦连到所述混频电路，其中，所述电阻(Rc1/Rc2)和所述电容(C1)被置于所述半导体衬底之上。