一种CMOS超宽带二分频器结构

摘要：

本发明属于时钟分频技术领域，具体为一种基于标准CMOS工艺的，适用于超宽带的二分频器结构。这种二分频器由两个主从结构差分模拟D锁存器构成。其中，每个D锁存器分别由一对差分NMOS管作为放大部分、一对交叉耦合的正反馈NMOS管作为锁存部分、一对PMOS管作为负载，一对时钟控制NMOS管分别作为放大部分和锁存部分的动态偏置。PMOS管偏置电压大小随频率而变化，一个频率到电压的转换电路给PMOS管负载提供偏置。本发明可有效增加分频器的工作频率范围，其上下限频率比可达250左右。本发明电路同时具备低功耗、低噪声、高速等特点。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010281878.9

申请日期：2010-09-15

公开/公告号：CN101924553A

公开/公告日：2010-12-22

主分类号：H03L7/18(2006.01)I

申请/专利权人:复旦大学

发明/设计人:梅年松;洪志良

主申请人地址:200433 上海市杨浦区邯郸路220号

专利代理机构:上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人:陆飞%盛志范

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种CMOS超宽带二分频器结构，其特征在于，该结构包括两个主从结构差分模拟D锁存器，两个D锁存器接成负反馈形式；其输入为差分信号：??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????和，为正弦波信号，或者以为方波信号。2010102818789100001dest_path_image002.jpg,2010102818789100001dest_path_image004.jpg