一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器
本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功率输出；以电流镜的形式来提供偏置电流，利用温度负反馈来提高偏置电路的温度稳定性。本发明线性度高，功耗低，温度稳定性好，当输出P1dB压缩点约为18.5dBm。在5.5GHz后仿真S11＜-15dB，S22＜-6.6dB，S21＞16dB。
发明专利
CN201010276619.7
2010-09-09
CN101951226A
2011-01-19
H03F1/02(2006.01)I
华东师范大学
张书霖;陈磊;赖宗声;苏杰;张伟;华林;刘盛富;阮颖
200241 上海市闵行区东川路500号
上海蓝迪专利事务所 31215
徐筱梅%张翔
上海;31
一种锗化硅双极?互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，其特征在于该放大器包括：第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7、第八晶体管Q8、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5及第六电容C6，其连接方式为：第一晶体管Q1的基极与第二电容C2相连，发射极与地线GND连接，集电极与第四电容C4连接；第二晶体管Q2的基极与第四电容C4连接，发射极与地线GND连接，集电极与电容C6相连；第三晶体管Q3的基极与电阻R2相连接，发射极与第五晶体管Q5的集电极和基极连在一起，集电极与第一电阻R1连接；第四晶体管Q4的基极与第二电阻R2和第一电阻R1连接，发射极与第三电阻R3和第三电容C3相连，集电极与2.5V电源V25相连；第五晶体管Q5基极与集电极连在一起并与第四晶体管Q4发射极相连；第六晶体管Q6的基极与电阻R5相连接，发射极与第八晶体管Q8的集电极和基极连在一起，集电极与第四电阻R4连接；第七晶体管Q7的基极与第五电阻R5和第四电阻R4连接，发射极与第六电阻R6和第五电容C5相连，集电极与电源V33相连；第八晶体管Q8基极与集电极连在一起并与第六晶体管Q6发射极相连；第一电感L1一端接第一电容C1和第二电容C2，另一端接地线GND；第二电感L2跨接在电源V25和第一晶体管Q1的集电极之间；第三电感L3跨接在电源V33端和第二晶体管Q2的集电极之间；第四电感L4一端接在第六电容C6端，另一端接地线GND；第一电阻R1跨接在第三晶体管Q3集电极和电源V25之间；第二电阻R2跨接在第三晶体管Q3基极和第四晶体管Q4基极之间；第三电阻R3跨接在第四晶体管Q4发射极和第一晶体管Q1基极之间；第四电阻R4跨接在第六晶体管Q6集电极和电源V33之间；第五电阻跨接在第六晶体管Q6基极和第七晶体管Q7基极之间；第六电阻跨接在第七晶体管Q7发射极和第二晶体管Q2基极之间；第一电容C1跨接在输入端RFIN和第二电容C2之间；第二电容C2跨接在第一电容C1和第一晶体管Q1基极之间；第三电容C3跨接在第四晶体管Q4发射极和第一晶体管Q1基极之间；第四电容C4跨接在第一晶体管Q1集电极和第二级晶体管Q2基极之间；第五电容C5跨接在第七晶体管Q7发射极和第二晶体管Q2基极之间；第六电容C6跨接在第二晶体管Q2集电极和电感L4之间。