基于CMOS反相器对的高速混沌振荡器设计方法和电路

摘要：

本发明公开了一种基于CMOS反相器对的高速混沌振荡器设计方法和电路。使用CMOS反相器对构成的负阻电路替代蔡氏电路中基于运算放大器的负阻电路，产生混沌振荡。CMOS反相器电路采用芯片CD4069或由两个PMOS管和两个NMOS管组成。该电路继承了传统蔡氏电路的特性，产生混沌振荡信号。使用CMOS反相器对，即两个反接的反相器作为振荡器的负阻子电路，可以克服传统蔡氏电路工作频率较低的缺点，工作于较高的频率，所以可以产生高速的混沌振荡，工作频率达到/MHz。该电路既可以使用分立器件进行设计与实现，也可以使用标准的CMOS工艺进行高速混沌振荡器的芯片设计与实现，有利于小成本大批量混沌信号源的制造和生产。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010275767.7

申请日期：2010-09-07

公开/公告号：CN101964630A

公开/公告日：2011-02-02

主分类号：H03B5/18(2006.01)I

申请/专利权人:浙江大学

发明/设计人:史治国;金梦珺;陈积明;洪少华

主申请人地址:310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

专利代理机构:杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人:林怀禹

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种基于CMOS反相器对的高速混沌振荡器设计方法，其特征在于：1)使用CMOS反相器对构成的负阻电路替代蔡氏电路中基于运算放大器的负阻电路，产生混沌振荡。2)电路参数的设计方法为：首先计算由两个差分对构成的负阻电路的“电流?电压”特性，取负阻段中心点的阻抗的绝对值的1.1倍作为电阻R的取值，然后，电感L，电容C1，电容C2需要满足条件：C1＝C2/α????????????????(1)L＝C2R2/β???????????????(2)其中：α，β为蔡氏电路混沌振荡的特征参数，设计时在蔡氏电路混沌特性α?β分叉图中混沌振荡区域中心部分取值，α，β取定之后，再取定电容C2后，由公式(1)，(2)得到电容C1和电感L的取值。