一种雪崩二极管的调试和补偿方法

摘要：

本发明公开了一种雪崩二极管的调试和补偿方法;该方法是首先通过找出雪崩二极管在各个不同温度下的最佳工作点，即在各个不同温度下灵敏度最好点对应的倍增因子，从而获得与其对应的偏置电压；接着将各温度及其偏置电压的对应关系做成查找表写入可读写的寄存器芯片中,以进行雪崩二极管温度补偿;通过本发明，该雪崩二极管能够在全温度范围内都在工作最佳点上工作。?

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010270153.X

申请日期：2010-09-02

公开/公告号：CN101977023A

公开/公告日：2011-02-16

主分类号：H03F1/30(2006.01)I

申请/专利权人:索尔思光电（成都）有限公司

发明/设计人:丁燕;黄庆;郑晓锋;卢永

主申请人地址:611731 四川省成都市高新区西区科新路8号成都出口加工区西区2号5号标准厂房

专利代理机构:成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214

代理人:徐宏%吴彦峰

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种雪崩二极管的调试和补偿方法，其特征在于包含以下步骤：找寻在一个温度下需要调试的倍增因子M2，其工作过程在于：(1)在第一输入光功率为P1时，在雪崩二极管上施加小于雪崩电压大于开启电压的偏置电压，调节所述偏置电压并且观察光电流I1，当所述光电流I1没有变化时M=1，记录此时的光电流I1；(2)在第二输入光功率为P2时，改变所述偏置电压，观察光电流的变化情况，直至I2=(?P2/?P1)*M2*I1时完成在所述温度下所述倍增因子M2的调试，记录此时的灵敏度和偏置电压；(3)根据前面找寻步骤得到在一个温度下各个不同的倍增因子并且记录下与所述各个不同的倍增因子相对应的灵敏度和偏置电压，从而获得在一个温度下倍增因子与灵敏度、偏置电压与灵敏度之间的对应关系即关系图，在倍增因子与灵敏度的关系图中灵敏度最高点对应的是该雪崩二极管的最佳工作点，在偏置电压与灵敏度的关系图中所述灵敏度最高点对应的偏置电压是在所述最佳工作点时施加在该雪崩二极管上的电压；(4)将所述温度与偏置电压的关系图形成温度与偏置电压的查找表，写到可读写的寄存器芯片中。