放大器、提高其共模反馈环路相位裕度方法、射频接收芯片

摘要：

本发明揭示了一种放大器、提高其共模反馈环路相位裕度方法，所述放大器包括输入级电路、输出级电路、共模反馈电路；所述输入级电路、输出级电路分别包括若干晶体管；所述共模反馈电路包括两个晶体管M19、M20，晶体管M19、M20的源极接地，在晶体管M19或/和晶体管M20的栅极与漏极之间接入电阻。本发明提出的提高其共模反馈环路相位裕度方法，在共模反馈电路中引入的电阻R提高了共模反馈回路的相位裕度，提高了共模反馈回路的稳定性。从另一个角度来说，采用本方法实现的运算放大器可以在稳定的条件下获得更好的噪声性能。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010265736.3

申请日期：2010-08-26

公开/公告号：CN101951234A

公开/公告日：2011-01-19

主分类号：H03F3/45(2006.01)I

申请/专利权人:上海南麟电子有限公司

发明/设计人:姜亚伟;裘旭亚;缪卫明;孙晶;刘桂芝;吴国平;黄年亚;蒋小强

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区松涛路489号C栋二楼

专利代理机构:上海光华专利事务所 31219

代理人:王松

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种提高放大器共模反馈环路相位裕度的方法，其特征在于：所述放大器包括输入级电路、输出级电路、共模反馈电路；所述输入级电路、输出级电路分别包括若干晶体管；所述共模反馈电路包括两个晶体管M19、M20，晶体管M19、M20的源极接地，在晶体管M19或/和晶体管M20的栅极与漏极之间接入电阻。