低噪声放大器

摘要：

本发明涉及一种低噪声放大器，包括串联耦接的第一晶体管和第二晶体管，所述低噪声放大器还包括：偏置电路，用于向所述第一晶体管和第二晶体管提供偏置电压；耦合电路，用于将经过所述第一晶体管的射频信号耦合到所述第二晶体管；高频阻抗电路，用于将经过所述第二晶体管的直流电流提供给所述第一晶体管且阻止射频信号经过所述高频阻抗电路。本发明的低噪声放大器采用了电流复用技术，在提高增益的同时节省了功耗。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010263883.7

申请日期：2010-08-24

公开/公告号：CN101944883A

公开/公告日：2011-01-12

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:上海集成电路研发中心有限公司

发明/设计人:冯程程

主申请人地址:201210 上海市张江高斯路497号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:郑玮

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种低噪声放大器，包括串联耦接的第一晶体管和第二晶体管，其特征在于，所述低噪声放大器还包括：偏置电路，用于向所述第一晶体管和第二晶体管提供偏置电压；耦合电路，用于将经过所述第一晶体管的射频信号耦合到所述第二晶体管；高频阻抗电路，用于将经过所述第二晶体管的直流电流提供给所述第一晶体管且阻止射频信号经过所述高频阻抗电路。