微波大功率，低限幅电平的砷化镓PIN管限幅器单片电路

摘要：

本发明是微波大功率，低限幅电平的砷化镓(GaAs)PIN管限幅器单片电路，采用3级结构设计，第1级采用6个相同的GaAs??PIN二极管的对管结构，其中3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阳极连接微波信号传输线，阴极连接地，另3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阴极连接微波信号传输线，阳极连接地；第2级和第3级采用相同的二极管的对管结构，其中1个砷化镓PIN二极管阳极连接微波信号传输线，阴极连接地；另1个砷化镓PIN二极管阴极连接微波信号传输线，阳极连接地。优点：单片限幅器的信号通过的功率大，泄露电平小。应用方便。可通过3英寸砷化镓PIN二极管单片工艺批量生产，一致性好，成本低。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010254151.1

申请日期：2010-08-16

公开/公告号：CN101938259A

公开/公告日：2011-01-05

主分类号：H03G11/02(2006.01)I

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明/设计人:陈新宇;蒋东铭;刘军霞

主申请人地址:210016 江苏省南京市中山东路524号

专利代理机构:南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人:沈根水

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

微波大功率，低限幅电平的砷化镓PIN管限幅器单片电路，其特征是采用3级结构设计，限幅器单片电路第1级采用6个砷化镓PIN二极管的对管结构，其中3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阳极连接微波信号传输线，阴极连接地，另3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阴极连接微波信号传输线，阳极连接地；第1级的6个砷化镓PIN二极管，大小相同，结构相同；微波信号通过第1级时，当信号电压幅度小于砷化镓PIN二极管的开启电压，砷化镓PIN二极管不工作，接地的并联支路等效于一个并联电容，微波信号通过；当信号电压幅度大于砷化镓PIN二极管的开启电压，砷化镓PIN二极管导通，接地的并联支路等效于一个并联小电阻，微波信号通过电阻到地，大大减小了输出的信号功率；限幅器单片电路的第2级和第3级采用相同的二极管的对管结构，其中1个砷化镓PIN二极管阳极连接微波信号传输线，阴极连接地；另1个砷化镓PIN二极管阴极连接微波信号传输线，阳极连接地，当微波信号通过第2级和第3级，其工作原理同上，用于消除功率尖峰，进一步降低限幅电平。