一种压电薄膜体声波谐振器

摘要：

本发明涉及一种压电薄膜体声波谐振器，由上至下包括：上层金属电极、压电薄膜、下层金属电极、支持薄膜和衬底，工作区由上层金属电极、压电薄膜和下层金属电极构成，所述的压电薄膜体声波谐振器通过对衬底进行硅体深刻蚀，使得支持薄膜的下表面与空气直接接触，将声波能量限制在工作区中；其特征在于，所述的支持薄膜采用多层结构，包括：厚度为0.2μm～0.6μm的氮化硅层和厚度为0.2μm～0.8μm的二氧化硅层，其中，最下层为氮化硅层。本发明解决了谐振器经过硅体深刻蚀之后薄膜表面出现褶皱和破裂现象的问题，降低了对设备和工艺条件要求高的问题，能够极大地提高成本率，降低生产成本，并其二次谐频具有较大Q值，能够应用于更高频率的射频振荡器中。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010242364.2

申请日期：2010-07-30

公开/公告号：CN101951238A

公开/公告日：2011-01-19

主分类号：H03H9/17(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院声学研究所

发明/设计人:汤亮;乔东海

主申请人地址:100190 北京市海淀区北四环西路21号

专利代理机构:北京法思腾知识产权代理有限公司 11318

代理人:杨小蓉%高宇

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种压电薄膜体声波谐振器，由上至下包括：上层金属电极、压电薄膜、下层金属电极、支持薄膜和衬底，工作区由上层金属电极、压电薄膜和下层金属电极构成，所述的压电薄膜体声波谐振器通过对衬底进行硅体深刻蚀，使得支持薄膜的下表面与空气直接接触，将声波能量限制在工作区中；其特征在于，所述的支持薄膜采用多层结构，包括：厚度为0.2μm～0.6μm的氮化硅层和厚度为0.2μm～0.8μm的二氧化硅层，其中，最下层为氮化硅层。