多级CMOS功率放大器

摘要：

本发明提供了一种多级CMOS功率放大器，其包括：激励放大器，具有差动输出端，使通过第一和第二输入端输入的差动信号反相，并通过差动输出端输出相应反相的信号；变压器，用于功率匹配，具有连接在激励放大器的差动输出端之间的初级线圈以及利用电磁感应与初级线圈耦合的次级线圈，次级线圈相对于初级线圈具有预定匝数比，并连接至直流电(DC)调谐电压端；以及功率放大器，功率放大通过变压器的次级线圈的一端和另一端的差动信号，并通过第一和第二输出端输出相应功率放大的差动信号。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010215236.9

申请日期：2010-06-25

公开/公告号：CN102055409A

公开/公告日：2011-05-11

主分类号：H03F1/02(2006.01)I

申请/专利权人:三星电机株式会社

发明/设计人:金胤锡;裵孝根;南重镇;元俊九;金基仲

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人:余刚%吴孟秋

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

一种多级互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器，包括：激励放大器，具有差动输出端，使通过第一和第二输入端输入的差动信号反相，并通过所述差动输出端输出相应反相的信号；变压器，用于功率匹配，具有连接在所述激励放大器的差动输出端之间的初级线圈以及利用电磁感应与所述初级线圈耦合、相对于所述初级线圈具有预定匝数比、且连接至直流电(DC)调谐电压端的次级线圈；以及功率放大器，功率放大通过所述变压器的次级线圈的一端和另一端的差动信号，并通过第一和第二输出端输出相应功率放大的差动信号。