一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法

摘要：

本发明公开了一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法：先将质量为m1的CuO粉体与质量为m2的WO3粉体均匀混合，混合后的粉体置于炉中进行烧结，再将研磨后的CuWO4粉体中加入质量为m3的CuO粉体，混合后置于氢气还原炉中，向炉内通入氢气，通气速率为33L/min，再以每分钟5~10摄氏度的升温速度，升温至360℃保温10分钟，再以每分钟3~5摄氏度的速度升温至800℃，保温30min，停止通氢气，以20L/min的速率通入氦气随炉冷却，冷却至室温后停止通氦气，即得到钨包覆铜纳米复合粉体。本发明制备工艺可以在纳米数量级精确控制W包覆层的厚度，从而可以满足不同钨铜比例含量的应用要求。?

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010209856.1

申请日期：2010-06-25

公开/公告号：CN101850420A

公开/公告日：2010-10-06

主分类号：B22F1/02(2006.01)I

申请/专利权人:西安理工大学

发明/设计人:陈文革;陶文俊;李君强

主申请人地址:710048 陕西省西安市金花南路5号

专利代理机构:西安弘理专利事务所 61214

代理人:罗笛

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法，其特征在于，需制备质量为M的钨包覆铜复合粉体，包覆层的厚度为H，其操作步骤如下：步骤1，根据以下公式计算出所需WO3的质量m1?其中，M为所需制备钨包覆铜复合粉体的质量，x为钨在钨包覆铜复合粉体中所占的质量百分比，k1=1.2为修正系数；?所述WO3的粒度为1.5um；步骤2，计算所需CuO的质量m2氧化铜的质量：m2＝0.345 m1；步骤3，CuWO4的制备将质量为m2的CuO粉体与质量为m1的WO3粉体均匀混合，再将混合后的粉体置于炉中进行烧结，升温速度保持在5~15℃/min，当炉内温度达到900℃保温30分钟后就形成浅黄色的CuWO4粉体，然后随炉冷却至室温；步骤4，研磨对步骤3制备得到的CuWO4粉体进行研磨；步骤5，还原在研磨后的CuWO4粉体中加入质量为m3的CuO粉体，将两种粉体均匀混合后置于氢气还原炉中，向炉内通入氢气，通气速率为33L/min，再以每分钟5~10摄氏度的升温速度，升温至360℃保温10分钟，再以每分钟3~5摄氏度的速度升温至800℃，保温30min，停止通氢气，以20L/min的速率通入氦气随炉冷却，冷却至室温后停止通氦气，即得到钨包覆铜纳米复合粉体；其中，m3=M×（1.77y－0.5221）；M为所需制备钨包覆铜复合粉体的质量，y为铜在钨包覆铜复合粉体中所占的质量百分比；上述步骤3和步骤5中所使用CuO粉体的粒度是根据所需制备钨包覆铜复合粉体的包覆层厚度H来选择的：如果6nm≤H＜10nm，则选择3um的CuO粒度；如果10nm≤H＜15nm，则选择6um的CuO粒度；如果15nm≤H＜20nm，则选择9um的CuO粒度；如果20nm≤H＜28nm，则选择12 um的CuO粒度；如果28nm≤H≤32nm，则选择15um的CuO粒度。2010102098561100001dest_path_image001.jpg