半导体器件和移除半导体器件噪声的方法

摘要：

本发明涉及半导体器件和移除半导体器件噪声的方法。半导体器件包括：噪声检测电路；输入信号延迟电路；以及遮蔽电路。噪声检测电路检测叠加在输入信号上的噪声并且在预定时间段期间输出遮蔽信号。输入信号延迟电路延迟输入信号并且输出其延迟信号。遮蔽电路输出其中基于遮蔽信号遮蔽延迟信号的输出信号。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010194985.8

申请日期：2010-05-31

公开/公告号：CN101938266A

公开/公告日：2011-01-05

主分类号：H03K5/1252(2006.01)I

申请/专利权人:瑞萨电子株式会社

发明/设计人:胁田里加

主申请人地址:日本神奈川县

专利代理机构:中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人:孙志湧%穆德骏

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种半导体器件，包括：噪声检测电路，所述噪声检测电路被构造为检测叠加在输入信号上的噪声并且在预定时间段期间输出遮蔽信号；输入信号延迟电路，所述输入信号延迟电路被构造为延迟所述输入信号并且输出其延迟信号；以及遮蔽电路，所述遮蔽电路被构造为输出其中基于所述遮蔽信号遮蔽所述延迟信号的输出信号。