混频电路

摘要：

本发明涉及一种通过源极耦合MOS晶体管而将两个输入信号进行混频后输出的混频电路，其特征在于，在源极耦合MOS晶体管的各源极端上串联连接占空比控制用MOS晶体管，在所述占空比控制用MOS晶体管的栅极上施加占空比控制用控制脉冲，所述占空比控制用控制脉冲相对于与其占空比控制用MOS晶体管串联连接的源极耦合MOS晶体管的栅极上所施加的控制脉冲而言具有-90度相位差，且可以将串联连接的两个MOS晶体管的栅极上所施加的控制脉冲的与(AND)组合占空比控制在25％，相比于现有的具有50％的开关控制占空比的混频电路，可达到增加增益且减少噪声系数的改善效果。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010194757.0

申请日期：2010-05-27

公开/公告号：CN102025323A

公开/公告日：2011-04-20

主分类号：H03D7/12(2006.01)I

申请/专利权人:芯光飞株式会社

发明/设计人:金永镇;罗一淏;郑椿植;孙成荣;李承鈱;黄明运

主申请人地址:韩国京畿道城南市盆唐区亭子洞金丝塔25-1,11楼

专利代理机构:上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人:翟羽%唐秀萍

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

一种通过源极耦合MOS晶体管而将两个输入信号进行混频后输出的混频电路，其特征在于，占空比控制用MOS晶体管，串联连接于源极耦合MOS晶体管的各源极端，在所述占空比控制用MOS晶体管的栅极上施加占空比控制用控制脉冲，所述占空比控制用控制脉冲相对于与所述占空比控制用MOS晶体管串联连接的源极耦合MOS晶体管的栅极上所施加的控制脉冲具有?90度相位差，且将串联连接的两个MOS晶体管的栅极上所被施加的控制脉冲的与组合占空比控制在25％。