功率放大器片内谐波吸收回路

摘要：

本发明公开了一种功率放大器片内谐波吸收回路，属于通信技术领域，应用于射频功率放大器电路。此种吸收回路与MMIC电路分离，且该谐波吸收回路基于微波单片集成电路(MMIC)工艺设计，由工艺库中提供的压焊PAD、MIM电容、接地通孔以及压焊金丝串联构成。其中，金丝与MMIC流片完成后进行压焊，金丝两端分别压焊到MMIC输出PAD和吸收回路PAD上。通过金丝连接，使吸收回路与MMIC输出端并联。通过上述吸收回路中的串联元件产生谐振点，来吸收MMIC工作时产生的谐波成分。本发明通过对金丝长度的灵活控制，实现对工作频带内产生的谐波进行有效地吸收，提高放大器电路的线性度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010191033.0

申请日期：2010-06-03

公开/公告号：CN102270967A

公开/公告日：2011-12-07

主分类号：H03F1/32(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:郝明丽;张宗楠;张海英

主申请人地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:北京市德权律师事务所 11302

代理人:王建国

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种功率放大器片内谐波吸收回路，其特征在于，包括：依次串联的金丝、压焊PAD、MIM电容以及接地通孔。