一种生物质复合气化装置
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方专利
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

专利专题

一种生物质复合气化装置

引用
本发明公开了一种生物质复合气化装置。包括复合气化炉,复合气化炉由内部依次连通的上流段、横流段和下流段组成;横流段为方形截面,生物质在气化炉上流段热解气化产生的燃气夹带细小固体颗粒经气化炉横流段切向进入气化炉下流段;在上流段设置有生物质进料口和一次气化剂入口,横流段设置有二次气化剂入口,下流段的下部设置有燃气出口,底部为灰分分离区,设置有灰分出口。本发明装置将热解、气化、裂解、重整、部分氧化过程在同一反应器内复合,实现参数分区控制和优化。具有气化效率高、焦油含量低、气体组分调控能力强、负荷适应能力强、原料适用性强、运行稳定、易于放大的特点,可广泛应用于发电、供热、供气、合成液体燃料等领域。

发明专利

CN201010187912.6

2010-05-24

CN101845328A

2010-09-29

C10J3/66(2006.01)I

中国科学院广州能源研究所

吴创之;阴秀丽;周肇秋;陈坚;马隆龙

510640 广东省广州市天河区五山能源路2号

广州科粤专利代理有限责任公司 44001

莫瑶江

广东;44

一种生物质复合气化装置,包括复合气化炉,其特征在于:所述复合气化炉由内部依次连通的气化炉上流段、气化炉横流段和气化炉下流段组成;在所述气化炉上流段设置有生物质进料口和一次气化剂入口;在气化炉横流段上设置有二次气化剂入口;气化炉下流段的下部设置有燃气出口,气化炉下流段底部为灰分分离区,设置有灰分出口;所述气化炉上流段作为生物质热解气化区,温度为500-900℃,其中气化炉上流段的中、上部为生物质热解区,温度为500-700℃,气化炉上流段的下部为生物质焦炭气化和部分燃烧区,温度800-900℃;气化炉下流段作为焦油裂解、重整、二次反应区,温度可达到1000-1300℃;所述气化炉上流段和下流段为圆截面,横流段为方形截面,上流段和下流段由横流段切向连接,生物质在气化炉上流段热解气化产生的燃气夹带细小固体颗粒经气化炉横流段切向进入气化炉下流段。
相关文献
评论
法律状态详情>>
2010-11-17实质审查的生效
2013-08-28授权
2010-09-29公开
相关作者
相关机构