一种用高精度低压比较器组成的高阈值电压比较电路

摘要：

本发明的目的是提出了一种用高精度低压比较器实现高阈值比较的电路，该电路主要是由低压运放omp1，omp2，电阻R1，R2，R3，M2，M3，M1，M4组成，M2与M3是宽长比为1∶1的PMOS，构成电流镜，M1与M4是两个高压场效应管，omp2用作比较器。本发明与普通方法相比线路简单，功耗低，大大降低成本，用低压器件实现高阈值比较，扩大使用范围。把高阈值平移到低阈值范围给低压比较器作为输入就可以实现用低压比较器实现高阈值的比较，本发明也可以采用单片集成工艺技术(BCD工艺)集成化生产。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010152060.7

申请日期：2010-04-12

公开/公告号：CN101964648A

公开/公告日：2011-02-02

主分类号：H03K5/22(2006.01)I

申请/专利权人:湖北大学%武汉博而硕微电子有限公司

发明/设计人:杨维明;潘希武;杨武韬;吴国婧;张豪杰;杨道虹

主申请人地址:430062 湖北省武汉市武昌区学院路11号

专利代理机构:武汉金堂专利事务所 42212

代理人:丁齐旭

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种用高精度低压比较器组成的高阈值电压比较电路，主要是由运放omp1，omp2，电阻R1，R2，R3，M2，M3，M1，M4组成，这里的omp2用做低压比较器，其特征在于M2与M3是宽长比为1∶1的PMOS，构成电流镜，M1与M4是两个高压场效应管，omp2用作比较器，电路连接为：运放omp1的同相输入端接入一个基准电压omp1的反相输入端接到结点2上，电阻R1的两端分别接在地和结点2上，高压管M1的栅极接到omp1的输出端，高压管M1的源端接到结点2上，高压管M1的漏极和低压PMOS管M2的漏极以及电阻R2的一端接到结点3上，omp2的同相输入端接到结点3上，电阻R3的两端分别接到结点1和结点4上，omp2的反相输入端接到结点4上，omp2的输出直接接该电路的输出端，PMOS管M2，M3的栅极相连构成电流镜，PMOS管M2，M3的源端和电阻R2的一端连接到结点5上，功率管PowerMOS管的两端接到结点1和结点5上。