基于碳纳米管的太赫兹振荡方法及太赫兹振荡器

摘要：

本发明提出了一种基于碳纳米管的太赫兹振荡方法，在半导体碳纳米管两端施加直流偏压，使该半导体碳纳米管中的电子漂移速度位于负微分漂移速度区域，从而在该半导体碳纳米管中产生随时间周期性变化的振荡电流。此外，本发明还提出了一种可实现上述方法的太赫兹振荡器及其制作方法。该碳纳米管太赫兹振荡器由芯片和与之连接的外围电路组成，作为一种新型的固态THz振荡器，具有结构简单、易于集成以及可以室温工作等优点，有望在未来的空间无线通信系统中得到广泛应用。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010145805.7

申请日期：2010-04-13

公开/公告号：CN102223140A

公开/公告日：2011-10-19

主分类号：H03B5/04(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明/设计人:王长;曹俊诚

主申请人地址:200050 上海市长宁区长宁路865号

专利代理机构:上海光华专利事务所 31219

代理人:李仪萍

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种基于碳纳米管的太赫兹振荡方法，其特征在于：在半导体碳纳米管两端施加直流偏压，使该半导体碳纳米管中的电子漂移速度位于负微分漂移速度区域，从而在该半导体碳纳米管中产生随时间周期性变化的振荡电流。