偏置电路及含它的跨导电容滤波器电路和半导体集成电路

摘要：

本发明涉及偏置电路，包括：形成第一电流源的第一正沟道金属氧化物半导体晶体管；构成第一正沟道金属氧化物半导体晶体管的电流镜电路且形成第二电流源的第二正沟道金属氧化物半导体晶体管；第一负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第一电流源向该第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；与第一负沟道金属氧化物半导体晶体管一起构成电流镜电路的第二负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第二电流源向该第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；以及连接在第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间的电阻器；其中用于gm调节的阻抗部件连接在第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010105061.6

申请日期：2010-01-22

公开/公告号：CN101958689A

公开/公告日：2011-01-26

主分类号：H03F3/20(2006.01)I

申请/专利权人:索尼公司

发明/设计人:岸川祯介

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:王萍%陈炜

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种偏置电路，包括：形成第一电流源的第一正沟道金属氧化物半导体晶体管；构成所述第一正沟道金属氧化物半导体晶体管的电流镜电路且形成第二电流源的第二正沟道金属氧化物半导体晶体管；第一负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从所述第一电流源向该第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；与所述第一负沟道金属氧化物半导体晶体管一起构成电流镜电路的第二负沟道金属氧化物半导体晶体，其具有从所述第二电流源向该第二负沟道金属氧化物半导体晶体的漏极供应电流的漏极；以及连接在所述第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间的电阻器；其中，用于跨导调节的阻抗部件连接在所述第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间。