压控开关、其应用方法及使用该压控开关的报警系统

摘要：

本发明涉及一种压控开关，其包括一双稳态电阻元件，该双稳态电阻元件包括一高分子载体及分散在该高分子载体中的多个金属颗粒。该双稳态电阻元件具有一低阻态与一高阻态两个工作状态。在低阻态，所述多个金属颗粒表面形成有金属导电丝，该多个金属颗粒通过该金属导电丝形成一导电通路。在高阻态，所述多个金属颗粒表面的金属导电丝断裂，使所述导电通路断开。所述低阻态的触发信号为一激励电场。所述高阻态的触发信号为一压差信号。本发明还涉及一种该压控开关的应用方法及使用该压控开关的报警系统。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010102132.7

申请日期：2010-01-22

公开/公告号：CN102136836A

公开/公告日：2011-07-27

主分类号：H03K17/96(2006.01)I

申请/专利权人:清华大学%鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

发明/设计人:胡春华;刘长洪;范守善

主申请人地址:100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种压控开关，其特征在于，包括一双稳态电阻元件，该双稳态电阻元件包括一高分子载体及分散在该高分子载体中的多个金属颗粒；该双稳态电阻元件具有一低阻态与一高阻态两个工作状态；在低阻态，所述多个金属颗粒表面形成有金属导电丝，该多个金属颗粒通过该金属导电丝形成一导电通路，所述低阻态的触发信号为一激励电场；在高阻态，所述多个金属颗粒表面的金属导电丝断裂，使所述导电通路断开，所述高阻态的触发信号为一压差信号，所述压差信号为所述导电通路形成时直接作用在该双稳态电阻元件的一初始压强与所述导电通路断开时直接作用在该双稳态电阻元件的一触发压强的绝对差值。