新型全集成双频段低噪声放大器集成电路结构

摘要：

本发明提供一种可同时应用于高级国际移动通信(AdvancedInternational?Mobile?Communications，IMT-Advanced)和超宽带(Ultra-WideBand，UWB)通信的多频段、多标准通信系统的一种双频段低噪声放大器集成电路结构，涉及集成电路领域，和已经公开发表的其它结构相比，本发明输入端在两个频段内分别采用窄带和宽带输入匹配网络，实现了不同带宽的频段(3.4-3.6GHz和4.2-4.8GHz)内50Ω阻抗匹配，两个并联谐振网络作为负载，利用外部控制信号控制谐振频率，满足双频段的不同增益要求，并扩展了电路的带宽，提高了电路在整个工作带宽的增益平坦度，实现了数字信号控制频段切换，相比现有技术，本发明的噪声系数、增益、输入输出匹配的技术指标都有大的提高，本发明采用SMIC公司0.13微米的混合信号CMOS工艺进行了设计验证，结果证明了本发明结构的可行性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010022735.6

申请日期：2010-01-12

公开/公告号：CN102130656A

公开/公告日：2011-07-20

主分类号：H03F1/42(2006.01)I

申请/专利权人:东南大学%爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司

发明/设计人:黄风义;王燕;唐旭升;姜楠

主申请人地址:210096 江苏省南京市四牌楼2号东南大学信息科学与工程学院

专利代理机构:上海唯源专利代理有限公司 31229

代理人:曾耀先

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种新型全集成双频段低噪声放大器集成电路结构，其特征在于，采用双输入单输出双频段低噪声放大器结构，数字信号控制两个频段的切换。