射频低噪声放大器

摘要：

一种射频低噪声放大器，包括差分放大电路，所述差分放大电路包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极分别通过第一隔直电容、第一电感和第二隔直电容、第二电感与差分射频输入端相连，所述第一MOS管和第二MOS管的源极分别通过第三电感和第四电感接地，所述第一MOS管和第二MOS管的漏极分别通过第五电感和第六电感接于VDD，所述第一MOS管以及第二MOS管的栅极和源极之间分别跨接有第一补充电容和第二补充电容，并且，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与差分射频输出端相连，其中，所述差分射频输出端与混频器直接相连。所述射频低噪声放大器的线性度和电压裕度较高。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201010022695.5

申请日期：2010-01-08

公开/公告号：CN102122921A

公开/公告日：2011-07-13

主分类号：H03F3/193(2006.01)I

申请/专利权人:无锡百阳科技有限公司

发明/设计人:张平山;潘建平

主申请人地址:214135 江苏省无锡市震泽路18号无锡(国家)软件园水瓶座415室

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:李丽

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种射频低噪声放大器，包括差分放大电路和偏置调节电路，其特征在于，所述差分放大电路包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别通过第一隔直电容、第一电感和第二隔直电容、第二电感与差分射频输入端相连，所述第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别通过第三电感和第四电感接地，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别通过第五电感和第六电感接于VDD，并且，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与差分射频输出端相连；所述偏置调节电路用于向差分放大电路的第一MOS管和第二MOS管提供偏置电压。