利用多次谐波共振在共振结构上横向耦合的体波滤波器元件

摘要：

本发明涉及一种具有高阶谐波HBAR的初级体波滤波器，该滤波器包括：两个HBAR型的共振器(20、22)，各共振器由换能器(8)和基片(12)形成，换能器和基片通过电声波以恰当的方式耦合。第一共振器(20)、第二共振器(22)和通过衰减波耦合的元件(28)包括同一整体式声波基片(12)，该声波基片设置成与所述压电换能器(8)相对，且利用同一参考电极(10)通过具有相同的剪切振动模式或纵向振动模式的波与所述压电换能器耦合。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200980153930.8

申请日期：2009-11-05

公开/公告号：CN102273072A

公开/公告日：2011-12-07

主分类号：H03H9/02(2006.01)I

申请/专利权人:国家科学研究中心(C.N.R.S)%弗朗什-孔泰大学

发明/设计人:多利安·加雄;西尔万·巴朗德拉

主申请人地址:法国巴黎

专利代理机构:北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人:黄志华

国别省市代码:法国;FR

权利要求：

一种HBAR型的初级滤波器，所述初级滤波器用于以预定的工作频率操作，且所述初级滤波器包括HBAR型的第一共振器(20、220)和第二共振器(22、222)以及用于通过衰减波的重叠而耦合的耦合元件(28、228)，所述第一共振器(20、220)和所述第二共振器(22、222)分别包括相应的第一电激励电极(4)和第二电激励电极(6)、同一参考电极(10)和同一单块式压电换能器(8、208)，第一电激励电极(4)和第二电激励电极(6)是分立的且由沟道(18)隔开，所述耦合元件(28、228)包括所述换能器(8、208)的过渡区(26、226)，所述换能器(8、208)的过渡区(26、226)设置在所述第一共振器和所述第二共振器(20、22；220、222)之间，所述压电换能器(8、208)由第一厚度的第一材料层构成，所述第一材料层根据由IEEE标准Std?176(1949年修订版)的命名法定义的角定向，且根据由IEEE标准Std?176(1949年修订版)的命名法(YX1)/θ定义的第一切割角θ1切割而成，使得仅在所述材料内，按照纵向模式或横向模式的波的电声耦合度大于5％，及其特征在于，所述第一共振器(20、220)、所述第二共振器(22、222)和所述耦合元件(28、228)包括同一单块式声波基片(12、212)，所述单块式声波基片(12、212)设置成面对所述压电换能器(8、208)且通过具有相同的纵向振动模式或横向振动模式且穿过所述参考电极(10)的波与所述压电换能器(8、208)耦合。FPA00001393136200011.tif,FPA00001393136200012.tif