具有乱真声学模式抑制的集成电路及其制造方法

摘要：

一种集成电路(IC)设备，包括具有相对的第一和第二主侧面和一个或多个边缘的衬底，所述一个或多个边缘界定所述衬底的外周边。衬底可以是半导体材料。该IC设备还可以包括位于所述衬底的所述第一主侧面上的一个或多个换能器；以及形成于所述衬底的所述第二主侧面和一个或多个边缘中的至少一个中的衰减图案。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200980152096.0

申请日期：2009-12-07

公开/公告号：CN102265333A

公开/公告日：2011-11-30

主分类号：G10K11/00(2006.01)I

申请/专利权人:皇家飞利浦电子股份有限公司

发明/设计人:W·奥斯曼;B·J·萨沃德;J·陈;R·J·所罗门

主申请人地址:荷兰艾恩德霍芬

专利代理机构:永新专利商标代理有限公司 72002

代理人:陈松涛%王英

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

一种集成电路(IC)设备，包括：具有相对的第一和第二主侧面和一个或多个边缘的衬底，所述一个或多个边缘界定所述衬底的外周边，所述衬底包括半导体材料；位于所述衬底的所述第一主侧面上的一个或多个换能器；以及形成于所述衬底的所述第二主侧面和所述一个或多个边缘中的至少一个中的衰减图案。