混频器架构

摘要：

本发明揭示用于设计单平衡混频器的技术，所述单平衡混频器耦合到具有虚设负载的虚设部分以改进噪声抑制。在一方面中，来自所述混频器之前的一级(例如低噪声放大器(LNA))的单端信号(RF)耦合到所述单平衡混频器的输入以与本机振荡器(LO)信号混合。复制所述单平衡混频器的拓扑的虚设部分耦合到所述单平衡混频器以改进噪声抑制，其中所述LO信号还被提供到所述虚设部分。所述虚设部分的所述输入可例如耦合到虚设负载，所述虚设负载经设计以复制所述前一级(例如所述LNA)的加载特性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200980143491.2

申请日期：2009-10-30

公开/公告号：CN102204085A

公开/公告日：2011-09-28

主分类号：H03D7/14(2006.01)I

申请/专利权人:高通股份有限公司

发明/设计人:希曼舒·卡特里;刘里

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人:宋献涛

国别省市代码:美国;US

权利要求：

一种用于使单端第一信号与差动第二信号混合以产生差动输出信号的设备，所述设备包含：单端部分，其包含第一晶体管对，所述第一晶体管对的第一输入耦合到所述单端第一信号，所述第一晶体管对的栅极输入耦合到所述差动第二信号，所述第一晶体管对耦合到所述差动输出信号；以及虚设部分，其包含匹配于所述第一晶体管对的第二晶体管对，所述第二晶体管对的第一输入耦合到虚设负载端子，所述第二晶体管对的栅极耦合到所述差动第二信号，所述第二晶体管对耦合到所述差动输出信号。