具有改进的静电放电保护电路的放大器

摘要：

本发明描述一种具有经改进的ESD保护电路的放大器(例如，LNA)。在一个示范性设计中，所述放大器包括晶体管(410)、电感器(412)及箝位电路(422)。所述晶体管(410)具有耦合到衬垫(450)的栅极且为所述放大器提供信号放大。所述电感器(412)耦合到所述晶体管(410)的源极且为所述晶体管(410)提供源极退化。所述箝位电路(422)耦合于所述晶体管(410)的所述栅极与所述源极之间且为所述晶体管(410)提供ESD保护。所述箝位电路(422)可包括耦合于所述晶体管(410)的所述栅极与所述源极之间的至少一个二极管。当将大电压脉冲施加到所述衬垫(450)时，所述箝位电路(422)经由所述电感器(412)传导电流以产生跨越所述电感器(412)的电压降。所述晶体管(410)的栅极到源极电压(Vgs)以所述跨越所述电感器(412)的电压降减小，这可改进所述晶体管(410)的可靠性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200980143457.5

申请日期：2009-10-28

公开/公告号：CN102204087A

公开/公告日：2011-09-28

主分类号：H03F1/52(2006.01)I

申请/专利权人:高通股份有限公司

发明/设计人:尤金·R·沃利

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人:宋献涛

国别省市代码:美国;US

权利要求：

一种设备，其包含：晶体管，其具有耦合到衬垫的栅极；电感器，其耦合到所述晶体管的源极；及箝位电路，其耦合于所述晶体管的所述栅极与所述源极之间且为所述晶体管提供静电放电(ESD)保护。