EUV光刻设备中污染物质的检测

摘要：

本发明涉及一种EUV曝光设备(1)，包括：包围内部(15)的壳体(1a)，布置在所述内部(15)中的至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)。所述残余气体分析仪(18a)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21)。本发明还涉及用于通过EUV光刻设备(1)的残余气体环境的残余气体分析而检测至少一种污染物质的方法，所述EUV光刻设备(1)具有带有内部(15)的壳体(1a)，在所述内部(15)中，至少布置了一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其中，所述污染物质(17a)被储存在储存装置(21)中，以便执行所述残余气体分析。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200980133665.7

申请日期：2009-07-03

公开/公告号：CN102138105A

公开/公告日：2011-07-27

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明/设计人:迪特尔·克劳斯;德克·H·埃姆;斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特

主申请人地址:德国上科亨

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所 11105

代理人:邱军

国别省市代码:德国;DE

权利要求：

EUV曝光设备(1)，包括：壳体(1a)，其包围内部(15)，至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其布置在所述内部(15)中，真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)，其特征在于所述残余气体分析仪(18a、18b)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21、21a；31、31a、31b)。