使用辅助变容二极管的压控振荡器温度补偿

摘要：

本发明揭示用于补偿温度变化对压控振荡器(VCO)频率的影响的技术。在一实施例中，辅助变容二极管耦合到所述VCO的LC槽。所述辅助变容二极管具有受温度相关控制电压(Vaux)控制的电容，以使VCO频率随温度的总变化减到最小。本发明进一步揭示用于使用数字和模拟手段来产生所述控制电压的技术。所述辅助变容二极管(Caux)可与所述LC槽的压控电容器(C)串联或并联耦合。在一个实施例中，通过获得与绝对温度成比例的第一电流与随温度而恒定的第二电流之间的差来产生所述控制电压，所述第二电流例如为带隙电流。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200980113949.X

申请日期：2009-04-22

公开/公告号：CN102017417A

公开/公告日：2011-04-13

主分类号：H03L1/02(2006.01)I

申请/专利权人:高通股份有限公司

发明/设计人:马兹哈尔埃丁·塔吉万达;康纳·多诺万;杨炯锡;李桑奥

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人:宋献涛

国别省市代码:美国;US

权利要求：

一种用于调整压控振荡器(VCO)的振荡频率的方法，所述VCO中的温度变化引起VCO振荡频率的改变，所述方法包含：感测所述VCO的温度；将辅助变容二极管耦合到所述VCO，所述辅助变容二极管的电容的变化引起所述VCO的所述振荡频率的变化；使用控制信号来控制所述辅助变容二极管的所述电容；以及基于所述所感测到的温度来调整所述控制信号，使得因VCO温度变化而导致的所述VCO振荡频率的所述改变减少。