提供无边缘纳米管谐振器阵列的装置、方法、和计算机程序产品

摘要：

描述一种纳米管装置。所述装置包括：第一电极，具有第一边缘。还包括：在闭合路径中分布的纳米管阵列。所述闭合路径围绕所述第一电极并邻近所述第一边缘。所述闭合路径局部是直的。所述纳米管中的每个包括自由摆动的端部。所述装置还包括：第二电极，具有围绕所述第一电极和所述纳米管阵列的第二边缘。还描述了方法。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200980106518.0

申请日期：2009-01-08

公开/公告号：CN101960718A

公开/公告日：2011-01-26

主分类号：H03H9/24(2006.01)I

申请/专利权人:诺基亚公司

发明/设计人:R·考尼斯托;J·基纳雷特;E·坎贝尔;A·伊萨克松;李相旭;A·埃里克松

主申请人地址:芬兰埃斯波

专利代理机构:北京市中咨律师事务所 11247

代理人:杨晓光%赵鹏华

国别省市代码:芬兰;FI

权利要求：

一种装置，包括：第一电极，具有第一边缘；在闭合路径中分布的纳米管阵列，其中所述闭合路径围绕所述第一电极并邻近所述第一边缘，所述闭合路径局部是直的，以及其中所述纳米管中的每个包括自由摆动的端部；以及第二电极，具有围绕所述第一电极和所述纳米管阵列的第二边缘。