一种改进型压电薄膜谐振器

摘要：

本实用新型涉及微电子器件，具体地是一种改进型压电薄膜谐振器，其特征在于：在SOI晶片的顶层硅上光刻刻出腐蚀槽或者腐蚀孔，顶层硅下面的SiO₂层为一空腔结构，使顶层硅形成一悬空的顶层硅，在悬空的顶层硅上依次沉积底电极层、压电薄膜和顶电极层；本实用新型有益效果：可用其与硅工艺相兼容，这可将谐振器阵列和外电路集成在一起，使电路具有高速、低压、低功耗、灵敏度高，响应速度快并且多通道的优点，同时使器件微型化、集成化程度更高，比及其他的空腔型压电薄膜谐振结构，基于SOI晶片的空腔结构可以获得更大、更稳定的谐振区域，其悬空硅层的机械性能较其他的空腔型谐振支撑结构更加牢固，不易断裂。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200920067906.X

申请日期：2009-02-20

公开/公告号：CN201360245

公开/公告日：2009-12-09

主分类号：H03H9/15(2006.01)I

申请/专利权人:上海工程技术大学

发明/设计人:言 智;邓沛然;刘延辉;周细应;于治水

主申请人地址:201620上海市松江区龙腾路333号

专利代理机构:上海三方专利事务所

代理人:吴干权

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种改进型压电薄膜谐振器，包括绝缘体上硅SOI晶片，SOI晶片由顶层硅、SiO2层及底层硅组成，其特征在于：在SOI晶片的顶层硅上光刻刻出腐蚀槽或者腐蚀孔，顶层硅下面的SiO2层为一空腔结构，使顶层硅形成一悬空的顶层硅，在悬空的顶层硅上依次沉积底电极层、压电薄膜和顶电极层。