基于金属薄膜的应力补偿的温度补偿晶体谐振器

摘要：

本实用新型公开一种基于金属薄膜的应力补偿的温度补偿晶体谐振器，包括晶体片和晶体片上的电极，晶体片沿圆周两侧或者电极上设有镀膜温度传感材料。本实用新型采用晶体片的力频特性和温频特性互补关系补偿晶体谐振器的频率。当温度变化时，本实用新型通过温度传感材料的变形，产生施加于晶体片的应力，补偿晶体片自身随温度所产生的频率变化。采用本实用新型的补偿方法，可在较宽的温度范围使晶体片的频率-温度特性达±1ppm，因此能够满足更高精度晶体振荡器的要求，本实用新型提高了温度补偿晶体谐振器的起点和总体水平，大大简化甚至省略了温度补偿的各种线路，具有体积小、成本低的优点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN200920031823.5

申请日期：2009-01-23

公开/公告号：CN201341127

公开/公告日：2009-11-04

主分类号：H03L1/02(2006.01)I

申请/专利权人:西安华伟电力电子技术有限责任公司

发明/设计人:周 渭;贾兆旻;关兴水

主申请人地址:710119陕西省西安市高新区新型工业园创业大道6号

专利代理机构:西安文盛专利代理有限公司

代理人:彭冬英

国别省市代码:陕西;61

权利要求：

1、基于金属薄膜的应力补偿的温度补偿晶体谐振器，包括晶体片(2)和晶体片上的电极(1)，其特征在于：晶体片(1)沿圆周两侧或者电极(2)上设有镀膜温度传感材料(3)。