一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器

摘要：

本发明涉及一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器，属于射频集成电路设计技术领域。所述平衡不平衡转换器包括：一第一输入级，包括两个NMOS晶体管；一第二输入级，包括两个NMOS晶体管；一个输出级，包括两个NMOS晶体管；一个耦合级，包括两个NMOS晶体管，所述第一输入级和第二输入级分别通过所述耦合级与所述输出级相耦合；一个电流镜，包括四个NMOS晶体管。本发明基于NMOS晶体管的平衡不平衡转换器具有以下两个优点，一是可以与标准CMOS工艺兼容，成本低，功耗低，工作频率高，且易于集成；二是无需无源器件，占用芯片面积小，且对器件参数不敏感，鲁棒性高。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910303641.3

申请日期：2009-06-25

公开/公告号：CN101599752

公开/公告日：2009-12-09

主分类号：H03H11/32(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:雷牡敏;张海英

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

专利代理机构:北京市德权律师事务所

代理人:王建国

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种基于NMOS晶体管的平衡-不平衡转换器，包括：一第一输入级，用于输入信号(P1)；一第二输入级，用于输入信号(P2)；一个输出级，用于输出信号(S)；一个耦合级，所述第一输入级和第二输入级分别通过所述耦合级与所述输出级相耦合，所述耦合级用于将所述第一输入级和第二输入级输入的信号(P1)和(P2)耦合到所述输出级；其特征在于，所述第一输入级包括两个串联相连的NMOS晶体管(M1)和(M2)，所述第二输入级包括两个串联相连的NMOS晶体管(M4)和(M5)，所述输出级包括两个串联相连的NMOS晶体管(M9)和(M10)，所述耦合级包括两个并联相连的NMOS晶体管(M7)和(M8)，所述平衡-不平衡转换器还包括电流镜，所述电流镜包括四个NMOS晶体管(M6)、(M12)、(M11)和(M3)，用于分别给所述第一输入级、第二输入级以及输出级提供电流源。