一种基于NMOS晶体管的90°移相器

摘要：

本发明涉及一种基于NMOS晶体管的90°移相器，属于射频微波集成电路设计技术领域。所述90°移相器由输入端、被并行驱动的第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器、第一输出端和第二输出端构成；所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻；所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻。本发明基于NMOS晶体管的90°移相器用低成本、低功耗的CMOS工艺，小面积实现宽带90°移相，并具有以下两个优点，一是没有传输损耗，能通过有源元件调整其增益；二是与标准CMOS工艺兼容，成本低，功耗低，集成度高且工作频带宽。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910303640.9

申请日期：2009-06-25

公开/公告号：CN101599751

公开/公告日：2009-12-09

主分类号：H03H11/18(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:雷牡敏;张海英

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

专利代理机构:北京市德权律师事务所

代理人:王建国

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种基于NMOS晶体管的90°移相器，由输入端(Vin)、第一二阶全通滤波器、第二二阶全通滤波器、第一输出端(VoI)和第二输出端(VoQ)构成；所述第一二阶全通滤波器一端与所述输入端(Vin)相连，另一端与所述第一输出端(VoI)相连；所述第二二阶全通滤波器一端与所述输入端(Vin)相连，另一端与所述第二输出端(VoQ)相连；所述第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器是被并行驱动的；其特征在于，所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管(M1)和(M2)、电容(C1A)、两个并联相连的电容(C1B)和电阻(R1)，所述两个串联相连的NMOS晶体管(M1)和(M2)与所述电容(C1A)串联后，再与两个并联相连的电容(C1B)和电阻(R1)相并联；所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管(M3)和(M4)、电容(C2A)、两个并联相连的电容(C2B)和电阻(R2)，所述两个串联相连的NMOS晶体管(M3)和(M4)与所述电容(C2A)串联后，再与两个并联相连的电容(C2B)和电阻(R2)相并联。