一种声表面波换能器的制作方法

摘要：

本发明公开了一种声表面波换能器的制作方法，属于传感器制作领域。该方法首先在压电基体上依次沉积钛、铝钼合金、钛、铝钼合金四层薄膜，然后涂覆光刻胶并曝光成表面声波换能器图形，采用氯气和氯化硼的混合气体刻蚀掉光刻胶未掩盖的非图形区域，最后去除光刻胶得到声表面波传感器换能器图形。本发明中的四层膜能抑制铝原子迁移，提高薄膜的附着力和功率承受力。在改善铝膜性能的同时，提高反应离子刻蚀图形的精确度，从而提高换能器性能的同时，提高器件的使用寿命。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910301697.5

申请日期：2009-04-21

公开/公告号：CN101599749

公开/公告日：2009-12-09

主分类号：H03H3/08(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:李冬梅

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

专利代理机构:北京市德权律师事务所

代理人:王建国

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种声表面波换能器的制作方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：步骤A、在压电基体上依次沉积钛、铝钼合金、钛、铝钼合金四层薄膜；步骤B、涂覆光刻胶并曝光成表面声波换能器图形；步骤C、采用氯气和氯化硼的混合气体刻蚀掉光刻胶未掩盖的非图形区域；步骤D、去除光刻胶得到声表面波换能器图形。