一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法

摘要：

本发明公开了一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，属于声表面波器件制造技术领域。该方法以传统的铝膜换能器制作方法为基础，在传统铝膜换能器制作完成后，在换能器的表面再沉积一层氮化钛薄膜作为扩散阻挡层。本发明的抗电迁移的声表面波传感器的制作方法在传统的铝膜换能器的表面采用氮化钛薄膜作为铝膜的扩散阻挡层，可以在很大程度上增加铝膜的抗电迁移性，同时延长换能器件的使用寿命。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910301691.8

申请日期：2009-04-21

公开/公告号：CN101552596

公开/公告日：2009-10-07

主分类号：H03H9/25(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:李冬梅

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

专利代理机构:北京市德权律师事务所

代理人:王建国

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种抗电迁移的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，首先制作铝膜换能器，然后在所述铝膜换能器的表面沉积一层氮化钛薄膜作为扩散阻挡层。