一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器

摘要：

本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。本发明中使用电阻器件可以显著减小集成电路的面积，降低集成电路生产的成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910243741.1

申请日期：2009-12-23

公开/公告号：CN102111111A

公开/公告日：2011-06-29

主分类号：H03F1/42(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:刘新宇;程伟;金智;王显泰

主申请人地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:周国城

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，其特征在于，该放大器采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管(HBT1)，第一异质结双极型晶体管(HBT1)的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管(HBT1)的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管(HBT2)和第三异质结双极型晶体管(HBT3)，其中第二异质结双极型晶体管(HBT2)的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管(HBT2)和第三异质结双极型晶体管(HBT3)的集电极是达林顿结构的输出端。