一种基于频率补偿的均衡器单元

摘要：

本发明公开了一种基于频域补偿的均衡器单元，包括：均衡电路，由第一电阻、第一NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二NMOS管和第二电阻依次串联连接而成；电阻调节电路，由四路并联连接的支路构成，每条支路由两个调节开关和一个电阻串联而成，该电路的两端分别连接于第五端点和第六端点，用于调节均衡器电路的低频增益；以及电容调节电路，由四路并联连接的支路构成，每条支路由两个调节开关和一个电容串联而成，该电路的两端分别连接于第五端点和第六端点，用于调节均衡器电路频率响应的零极点位置。利用本发明，能够根据信道的不同，通过外部的开关动态的调节系统的零极点分布，从而能够补偿码元的高频特性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910242761.7

申请日期：2009-12-16

公开/公告号：CN102104368A

公开/公告日：2011-06-22

主分类号：H03G5/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:巨浩;周玉梅;蒋见花

主申请人地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:周国城

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种基于频率补偿的均衡器单元，其特征在于，包括：均衡电路，由第一电阻(R1)、第一NMOS管(M1)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第二NMOS管(M2)和第二电阻(R2)依次串联连接而成，其中第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)作为输入端口，接收从信道传输进来的数据，且第一电阻(R1)与第二电阻(R2)之间接电源，第三NMOS管(M3)与第四NMOS管(M4)之间接地，第一NMOS管(M1)与第三NMOS管(M3)之间具有一第五端点(5)，第四NMOS管(M4)与第二NMOS管(M2)之间具有一第六端点(6)；电阻调节电路，由四路并联连接的支路构成，每条支路由两个调节开关和一个电阻串联而成，该电路的两端分别连接于第五端点(5)和第六端点(6)，用于调节均衡器电路的低频增益；以及电容调节电路，由四路并联连接的支路构成，每条支路由两个调节开关和一个电容串联而成，该电路的两端分别连接于第五端点(5)和第六端点(6)，用于调节均衡器电路频率响应的零极点位置。