光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法
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光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法

引用
本发明涉及一种在透明基板上具有至少由两层组成的遮光膜的光掩模坯料,所述遮光膜是以含有低于62at%的氮的氮化钽作为主要成分的材料,并且具有:由用不含氧的氯系气体能够进行干蚀刻的材料形成的遮光层;以及形成于该遮光层的上面的、由用氯系气体不能进行干蚀刻而用氟系气体能够进行干蚀刻的材料形成的表面防反射层。

发明专利

CN200910203985.7

2009-02-27

CN101556432

2009-10-14

G03F1/14(2006.01)I

HOYA株式会社

野泽顺

日本东京都

中科专利商标代理有限责任公司

李贵亮

日本;JP

1.一种光掩模坯料,其用于制作适用ArF准分子激光器的曝光光的光掩模,并且在透明基板上具有至少由两层构成的遮光膜,该光掩模坯料的特征在于,所述遮光膜是以含有低于62at%的氮的氮化钽作为主要成分的材料,并且该遮光膜具有:由用不含氧的氯系气体能够进行干蚀刻的材料形成的遮光层;以及形成于该遮光层的上面的、由用氯系气体不能进行干蚀刻而用氟系气体能够进行干蚀刻的材料形成的表面防反射层。
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2009-10-14公开
2012-07-25授权
2009-12-09实质审查的生效
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