差分比较器电路结构

摘要：

本发明公开了一种差分比较器电路结构，其中M4和M5保证了流过M2和M3的电流一致，M6～M9将输入信号进行预放大，将电压的差异转换成M10和M11上的电流差异，M12和M13将M11和M10的电流复制过去，并将电流的差异转换成VN1和VP1的电压差异，M21、M22、M15和M16将电压差异迅速放大并输出。本发明通过上述电路结构，使差分比较器在速度不变的前提下，大大提高了比较器的可靠性和灵敏度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910202042.2

申请日期：2009-12-24

公开/公告号：CN102111126A

公开/公告日：2011-06-29

主分类号：H03K3/023(2006.01)I

申请/专利权人:上海华虹NEC电子有限公司

发明/设计人:周平;骆川

主申请人地址:201206 上海市浦东新区川桥路1188号

专利代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人:顾继光

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种差分比较器电路结构，其特征在于，一个参考电流连接到第一NMOS管的栅极和漏极，以及第二、第三NMOS管的栅极，第二NMOS管的漏极连接到第四NMOS管的源极，第三NMOS管的漏极连接到第五NMOS管的源极，第四NMOS管的漏极以及第六、第七NMOS管的源极连接在一起，第五NMOS管的漏极以及第八、第九NMOS管的源极连接在一起，第四NMOS管的栅极与第八NMOS管的栅极连接，并作为差分参考电平的第二输入端，第五NMOS管的栅极与第七NMOS管的栅极连接，并作为差分参考电平的第一输入端，第六NMOS管的栅极作为差分输入信号的第一输入端，第九NMOS管的栅极作为差分输入信号的第二输入端，第六、第八NMOS管的漏极以及第十一PMOS管的漏极和栅极、第十二PMOS管的栅极都连接在一起，第九、第七NMOS管的漏极以及第十PMOS管的漏极和栅极、第十三PMOS管的栅极都连接在一起，第十四、第十七PMOS管的栅极以及第十八、第十九NMOS管的栅极都作为第一复位信号的输入端，第二十NMOS管的栅极作为第二复位信号的输入端，所述第一复位信号为低电平且第二复位信号为高电平的时候有效，第十四、第十五PMOS管的漏极、第十八NMOS管的漏极以及第十六PMOS管的栅极连接在一起，作为比较结果的第一输出端，第十七、第十六PMOS管的漏极、第十九NMOS管的漏极以及第十五PMOS管的栅极连接在一起，作为比较结果的第二输出端，第十二PMOS管的漏极、第十八NMOS管的源极、第二十NMOS管的漏极、第二十一NMOS管的漏极以及第二十二NMOS管的栅极连接在一起，第十三PMOS管的漏极、第十九NMOS管的源极、第二十NMOS管的源极、第二十二NMOS管的漏极以及第二十一NMOS管的栅极连接在一起，第十、第十一、第十二、第十三、第十四、第十五、第十六和第十七PMOS管的源极连接到电源端，第一、第二、第三、第二十一和第二十二NMOS管的源极接地。