一种具有宽带和高线性度的MOS开关电路

摘要：

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种具有宽带和高线性度的MOS开关电路。该电路由MOS开关为主体，通过栅压自举电路稳定开关管栅源电压；通过隔离衬底，并使之在开关导通时跟随输入信号以消除衬偏效应和开关源漏寄生结电容；通过预充电-悬浮结构消除衬底-隔离阱之间寄生结电容的影响。通过上述三方面的作用消除的普通MOS开关产生非线性的主要非理想因素，提高开关管在高中低频输入信号下的线性度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910195740.4

申请日期：2009-09-16

公开/公告号：CN102025358A

公开/公告日：2011-04-20

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:复旦大学

发明/设计人:任俊彦;罗磊;林楷辉;余北;朱瑜;叶凡;许俊;李宁;李巍

主申请人地址:200433 上海市杨浦区邯郸路220号

专利代理机构:上海智信专利代理有限公司 31002

代理人:王洁

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种具有宽带和高线性度的MOS开关电路，其特征在于，包括：第一输入端和第一输出端；栅压自举电路，包括第一时钟信号，第二输入端以及第二输出端；第一导电型的阱区，设置于所述第二导电型的深阱区上，并且所述第二导电型的深阱区，设置于第一导电型的基底上；第一增强型MOS晶体管，形成在第一所述的第一导电型的阱区中，其导电沟道的一端经由电阻元件连接至所述第一输入端，另一端连接所述第一输出端，其栅极控制端连接所述第二输出端，其阱区经由第二时钟开关与第一电压连接；第二增强型MOS晶体管，形成在第二所述的第一导电型的阱区中，其导电沟道的一端与所述第一输入端连接，另一端及其阱区与所述第一增强型的MOS晶体管的阱区连接，其栅极控制端与所述第二输出端连接；第三增强型MOS晶体管，形成在第三所述的第一导电型的阱区中，其导电沟道的一端及其栅极控制端与第二电压连接，另一端与所述第二导电型的深阱区连接，并且所述第三增强型MOS晶体管的阱区与所述第一增强型的MOS晶体管的阱区连接；所述第一时钟信号与所述第二时钟开关的控制信号一直保持相反状态；以及所述第二输入端与所述第一输入端连接。