多区半导体炉

摘要：

适用于晶片的化学气相淀积工艺的半导体炉。该炉包括一个热反应室，该室具有顶部、底部、侧壁和内部空腔，用以容纳一批垂直堆叠的晶片。具有一加热系统，包括多个配置的加热器，可以加热反应室。加热系统包括至少一个顶加热器、至少一个底加热器和多个沿反应室的高度间隔排布的侧壁加热器，以控制室内温度变化和提高晶片膜淀积厚度的一致性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910173957.5

申请日期：2009-09-24

公开/公告号：CN101839624A

公开/公告日：2010-09-22

主分类号：F27B1/09(2006.01)I

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

发明/设计人:吴欣贤;张钧琳;杨棋铭

主申请人地址:中国台湾新竹

专利代理机构:北京市德恒律师事务所 11306

代理人:马佑平%马铁良

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

一种半导体炉，包括：立式的热反应室，具有一定高度、顶部、底部、连接顶部和底部的侧壁、和用以容纳可移动的一批固定晶片的内部空腔，所述反应室具有中心部分和边缘部分；位于所述反应室内的晶片船，其构造适于容纳呈垂直堆叠关系的多个晶片；和包括多个加热器的加热系统，用以加热反应室，所述加热系统包括：至少一个顶加热器；至少一个底加热器；和多个侧壁加热器，所述侧壁加热器的配置和控制，使得在反应室中心部分和反应室边缘部分测量的温度差在0.1摄氏度以内。