半导体集成电路及其参数修正方法

摘要：

一种半导体集成电路，包括：端子，连接至具有已知参数值的基准参数元件；可变参数元件，所述可变参数元件的参数值能够通过控制信号进行控制；电压测量电路，分别测量所述端子处的电压和在所述可变参数元件中产生的电压；电流源电路，为所述端子和所述可变参数元件提供电流；第一开关电路，位于所述电流源电路和所述端子之间；以及第二开关电路，位于所述电流源电路和所述可变参数元件之间。可以精度良好地修正电阻元件等的参数，而不会受在内部具备的恒流源等的零件的制造离差的影响。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910158602.9

申请日期：2003-12-01

公开/公告号：CN101588170

公开/公告日：2009-11-25

主分类号：H03K19/003(2006.01)I

申请/专利权人:松下电器产业株式会社

发明/设计人:朴井高宏;西川和彦

主申请人地址:日本大阪府

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:汪惠民

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种半导体集成电路，包括：端子，连接至具有已知参数值的基准参数元件；可变参数元件，所述可变参数元件的参数值能够通过控制信号进行控制；电压测量电路，分别测量所述端子处的电压和在所述可变参数元件中产生的电压；电流源电路，为所述端子和所述可变参数元件提供电流；第一开关电路，位于所述电流源电路和所述端子之间；以及第二开关电路，位于所述电流源电路和所述可变参数元件之间。