光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法

摘要：

本发明实施例提供了一种光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法，所述光掩膜包括第一遮光图案、第二遮光图案、透光单狭缝与半透光图案。透光单狭缝位于第一遮光图案与第二遮光图案之间，透光单狭缝的宽度介于1.5微米至2.5微米之间。半透光图案与第一遮光图案以及第二遮光图案连接。本发明的光掩膜具有透光单狭缝与半透光图案设计，其中透光单狭缝可缩减制作出的薄膜晶体管元件的通道长度，而半透光图案可定义出半导体层的延伸部。因此，薄膜晶体管元件可具有较高的开启电流。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910150145.9

申请日期：2009-07-07

公开/公告号：CN101598894

公开/公告日：2009-12-09

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:友达光电股份有限公司

发明/设计人:张家铭;萧祥志

主申请人地址:台湾省新竹市

专利代理机构:北京三友知识产权代理有限公司

代理人:任默闻

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1.一种光掩膜，其特征在于，所述光掩膜用于定义薄膜晶体管元件的源极/漏极与通道的图案，所述光掩膜包括： 一第一遮光图案与一第二遮光图案，其中所述第一遮光图案包括一第一侧边与一第二侧边，所述第二遮光图案包括一第三侧边与一第四侧边，且所述第一遮光图案的所述第一侧边与所述第二遮光图案的所述第三侧边面对设置； 一透光单狭缝，位于所述第一遮光图案的所述第一侧边与所述第二遮光图案的所述第三侧边之间，其中所述第一遮光图案的所述第一侧边与所述第二遮光图案的所述第三侧边之一最小距离介于1.5微米至2.5微米之间；以及 至少一半透光图案，所述半透光图案与所述第一遮光图案的所述第二侧边以及所述第二遮光图案的所述第四侧边连接。