光刻用掩模及光刻用掩模数据的形成方法、背照射型固体摄像器件及其制造方法和电子装置

摘要：

本发明提供了光刻用掩模及光刻用掩模数据的形成方法、背照射型固体摄像器件及其制造方法和电子装置。所述光刻用掩模的形成方法包括以下步骤：当形成用于制造如下背照射型固体摄像器件的光刻用掩模时，该背照射型固体摄像器件从与上面形成有元件区域的布线的表面侧相对的表面侧获取入射光，且所述元件区域中形成有光电转换元件，该形成方法通过使用将至少一部分输出端子的位置反转的反转数据来形成所述掩模。本发明能够与前照射型无区别地处理背照射型，因此，不必要求安装有背照射型CMOS图像传感器的评估板或者后续级的信号处理IC具有特定的规格，并且不必增加成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910132305.7

申请日期：2009-03-25

公开/公告号：CN101546118

公开/公告日：2009-09-30

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:索尼株式会社

发明/设计人:马渕圭司

主申请人地址:日本东京

专利代理机构:北京信慧永光知识产权代理有限责任公司

代理人:陈桂香%武玉琴

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1. 一种光刻用掩模的形成方法，其包括以下步骤：当形成用于制造如下背照射型固体摄像器件的光刻用掩模时，该背照射型固体摄像器件从与上面形成有元件区域的布线的表面侧相对的表面侧获取入射光，且所述元件区域中形成有光电转换元件，该形成方法通过使用将至少一部分输出端子的位置反转的反转数据来形成所述掩模。