压电薄膜谐振器、滤波器和通信设备

摘要：

本发明公开了压电薄膜谐振器、滤波器和通信设备。一种压电薄膜谐振器包括基板、形成在基板上的下电极、形成在基板和下电极上的压电膜以及形成在压电膜上并且与下电极相对的上电极。上电极具有主体部份和连接到该主体部份的扩展部份，该主体部份与下电极以及被布置在基板和下电极之间的开孔相对，该扩展部份具有与该开孔和基板相对的部份。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910117841.X

申请日期：2009-03-06

公开/公告号：CN101527551

公开/公告日：2009-09-09

主分类号：H03H9/17(2006.01)I

申请/专利权人:富士通株式会社

发明/设计人:谷口真司;西原时弘;横山刚;岩城匡郁;原基扬;上田政则

主申请人地址:日本神奈川县

专利代理机构:北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人:李晓冬%南 霆

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种压电薄膜谐振器，包括：基板；下电极，该下电极形成在所述基板上；压电膜，该压电膜形成在所述基板和所述下电极上；以及上电极，该上电极形成在所述压电膜上，并且具有主体部份以及连接到所述主体部份的扩展部份，所述主体部份与所述下电极以及布置在所述基板和所述下电极之间的开孔相对，所述扩展部份具有与所述开孔和所述基板相对的部份。