AgMgNi合金导电环制备新方法

摘要：

本发明公开了一种AgMgNi合金导电环制备新方法，其工艺路线：抽高真空后熔炼纯银除气→用高纯Ar气保护下制备AgMgNi合金→重熔过程中用N₂保护以防止氧化烧损→压铸成型技术制得成形坯→冷加工获得成品。本发明关键技术在于AgMgNi合金压铸成型工艺技术参数的选定及成型过程的有效控制。本发明制备方法具有无偏析、流程短、尽终成型的特点；所制备的产品表面组织致密、硬度高、导电性能良好、成品率达到90％以上。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910094797.5

申请日期：2009-08-05

公开/公告号：CN101628328

公开/公告日：2010-01-20

主分类号：B22D18/00(2006.01)I

申请/专利权人:昆明贵金属研究所

发明/设计人:崔 浩;谢 明;杨有才;孔健稳;陈永泰;刘满门;李靖华;张吉明;张利斌

主申请人地址:650106云南省昆明市高新技术开发区科技路988号(昆明贵金属研究所)

专利代理机构:昆明今威专利代理有限公司

代理人:赛晓刚

国别省市代码:云南;53

权利要求：

1、一种AgMgNi合金导电环制备方法，其特征在于包含以下步骤：(1)抽高真空后熔炼纯银，进行充分除气；(2)充Ar气保护下熔炼制备AgMgNi合金；(3)重熔AgMgNi合金过程中合金液用N2保护；(4)压铸成型工艺制备半成品坯；(5)冷加工获得成品。