基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路

摘要：

本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路，P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号；积分求和器由一电容C∑构成，该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接，积累加权电流形成触发电压信号；脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路，产生脉冲序列串输出，输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200910091405.X

申请日期：2009-08-19

公开/公告号：CN101997538A

公开/公告日：2011-03-30

主分类号：H03K19/094(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

发明/设计人:韩伟华;熊莹;赵凯;杨香;张严波;王颖;杨富华

主申请人地址:100083 北京市海淀区清华东路甲35号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:周国城

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，其特征在于，包括：一树突电路(1)，该树突电路由一组并联的P型硅纳米线MOS晶体管Tp11...Tp1m与一N型硅纳米线MOS晶体管Tn1通过漏端节点相串联而构成，输入信号为脉冲电压信号V1、V2...Vm；一积分求和器(2)，该积分求和器由一电容C∑构成，该电容C∑与树突电路(1)中的P型硅纳米线MOS晶体管Tp11...Tp1m与N型硅纳米线MOS晶体管Tn1的漏端节点相连接，积累加权电流形成触发电压信号V∑；一脉冲发生电路(3)，该脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路，产生脉冲序列串输出Vo，输出脉冲序列串的频率受到输入信号V1、V2...Vm的调制。